據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，濱松光子學(xué)株式會(huì)社（Hamamatsu Photonics）近日宣布批量生產(chǎn)了一種不使用歐盟委員會(huì)RoHS限制物質(zhì)的中紅外化合物半導(dǎo)體探測(cè)器。 這款化合物光電半導(dǎo)體由2000多層砷化銦（InAs）和銻化鎵（GaSb）薄膜層在基板上交替層疊構(gòu)成。 左圖為普通化合物半導(dǎo)體器件，右圖為Hamamatsu率先量產(chǎn)的中紅外化合物半導(dǎo)體探測(cè)器。普通半導(dǎo)體器件的光接收層采用的是單一材料，而Hamamatsu的該產(chǎn)品采用的是2000層以上厚度為數(shù)納米的InAs和GaSb薄膜在基板上交替層疊形成的光接收層。 該探測(cè)器能夠感知波長(zhǎng)為14.3 um的中紅外光，且不使用中紅外探測(cè)器常用的汞和鎘材料。這些材料現(xiàn)在已是歐盟RoHS指令下的限制有害物。 Hamamatsu稱，這款新產(chǎn)品非常適用于傅里葉變換紅外光譜儀（FT-IR）分光光度計(jì)等分析儀器，這些儀器依賴中紅外光來(lái)識(shí)別空氣、食品和藥物中所含的物質(zhì)。這款新產(chǎn)品還可以取代常用于氣體組分分析儀和紅外測(cè)溫儀的現(xiàn)有中紅外探測(cè)器。 探測(cè)可見(jiàn)光主要采用的是由硅（Si）材料制成的光學(xué)半導(dǎo)體器件，但要檢測(cè)波長(zhǎng)比可見(jiàn)光長(zhǎng)的中紅外光，則需要使用組合多種材料的化合物半導(dǎo)體器件。然而，這些化合物光電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的大規(guī)模批量生產(chǎn)難度很大。 Hamamatsu聲稱它們是第一家批量生產(chǎn)這種II型超晶格紅外探測(cè)器的公司。其制造技術(shù)能夠精確交替層疊具有均勻厚度、反復(fù)重復(fù)的InAs和GaSb薄膜。