美國時(shí)間12月5日，II-VI公司宣布簽署了一項(xiàng)總金額超過1億美元的多年協(xié)議，為部署在5G無線基站的氮化鎵（GaN）射頻功率放大器提供碳化硅（SiC）襯底。這是II-VI公司自成立以來簽署的金額最大的一筆訂單。 5G無線服務(wù)的加速推出，正在推動(dòng)5G無線供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)中更深層次的戰(zhàn)略關(guān)系以滿足市場(chǎng)窗口期的需求。作為4G和5G市場(chǎng)高質(zhì)量SiC襯底的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，II-VI擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，而這份新協(xié)議正是以此為基礎(chǔ)簽訂的。 II-VI公司寬帶隙半導(dǎo)體事業(yè)部副總裁Gary Ruland博士說：“與Si襯底的GaN射頻功率放大器相比，SiC襯底的GaN射頻功率放大器在5G工作頻率的寬頻譜范圍內(nèi)（從低千兆赫到毫米波）具有優(yōu)越的性能?？蛻暨x擇與II-VI建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，是因?yàn)槲覀冮L期以來在襯底直徑更大、晶體質(zhì)量更好等方面保持行業(yè)領(lǐng)先水平，并不斷推動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展。II-VI公司最近推出的200毫米SiC半絕緣襯底是世界首款，這將使我們的客戶在未來實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)?！?憑借30項(xiàng)有效專利的強(qiáng)大知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，II-VI正以包括晶體生長、襯底制造和拋光在內(nèi)的高度差異化的專有技術(shù)推動(dòng)SiC襯底的技術(shù)水平。II-VI還通過建立垂直集成的150毫米GaN-on-SiC HEMT器件制造平臺(tái)，以擴(kuò)展其驅(qū)動(dòng)5G射頻半導(dǎo)體路線圖的能力。除SiC基板外，II-VI還為無線光接入基礎(chǔ)設(shè)施提供了強(qiáng)大的波長管理解決方案和收發(fā)器陣列。 簡(jiǎn)而言之，II-VI為即將到來的大規(guī)模5G部署做好了準(zhǔn)備，能夠提供廣泛的材料、設(shè)備、組件和子系統(tǒng)。