東莞銘普光磁股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“公司”或“銘普光磁”)公告稱：公司于近日取得一項(xiàng)中華人民共和國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的“光功率監(jiān)測(cè)方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)”發(fā)明專利證書。 ??具體情況如下： ??證書號(hào)：第 4301694 號(hào) ??發(fā)明名稱：光功率監(jiān)測(cè)方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì) ??專利號(hào)： ZL 2019 1 1403766.3 ??專利類型：發(fā)明專利 ??專利申請(qǐng)日：2019 年 12 月 30 日 ??專利權(quán)人：東莞銘普光磁股份有限公司 ??授權(quán)公告日：2021 年 03 月 16 日 ??專利權(quán)期限：20 年(自申請(qǐng)日起算) ??本申請(qǐng)公開一種光功率監(jiān)測(cè)方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，光功率監(jiān)測(cè)方法包括：獲取待監(jiān)測(cè)光模塊的校準(zhǔn)參數(shù);根據(jù)所述校準(zhǔn)參數(shù)計(jì)算得所述待監(jiān)測(cè)光模塊的第一光功率偏差;根據(jù)所述校準(zhǔn)參數(shù)、第一光功率偏差計(jì)算得到所述待監(jiān)測(cè)光模塊的參考光功率;根據(jù)所述參考光功率、所述校準(zhǔn)參數(shù)、所述第一光功率偏差計(jì)算得到所述待監(jiān)測(cè)光模塊的當(dāng)前光功率。本申請(qǐng)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)光模塊的光功率監(jiān)測(cè)的同時(shí)，還具有占用光模塊運(yùn)行資源少、成本低等優(yōu)點(diǎn)。