2018年8月3日，科技部發(fā)布《關(guān)于國家重點研發(fā)計劃“智能機器人”等重點專項2018年度項目申報指南的通知》（國科發(fā)資[2018]108號），包含智能機器人、現(xiàn)代服務(wù)業(yè)共性關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用示范、可再生能源與氫能技術(shù)、綜合交通運輸與智能交通、網(wǎng)絡(luò)協(xié)同制造和智能工廠、核安全與先進(jìn)核能技術(shù)、制造基礎(chǔ)技術(shù)與關(guān)鍵部件7個重點專項。其中，10項先進(jìn)傳感器課題被列入“制造基礎(chǔ)技術(shù)與關(guān)鍵部件”專項中。 各個研究課題的研究內(nèi)容和考核指標(biāo)具體如下： 1、高性能硅壓力、加速度、角速度傳感器前沿技術(shù)（基礎(chǔ)前沿技術(shù)類） 研究內(nèi)容：研究新型諧振式硅傳感器敏感原理和結(jié)構(gòu)；研究傳感器非線性效應(yīng)、耦合效應(yīng)、溫度效應(yīng)及工藝誤差影響；研究傳感器優(yōu)化設(shè)計、制造工藝精確控制、低應(yīng)力封裝等關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)閉環(huán)信號檢測與控制電路系統(tǒng)集成技術(shù)；研制高精度硅壓力傳感器、加速度傳感器、角速度傳感器原型器件，并在流程工業(yè)與機器人領(lǐng)域試用驗證。 考核指標(biāo)：壓力傳感器量程0~1MPa,精度優(yōu)于0.01%FS；加速度傳感器量程±15g，零偏穩(wěn)定性優(yōu)于1μg；角速度傳感器量程±200°/s，零偏穩(wěn)定性優(yōu)于0.1°/h。 2、基于量子效應(yīng)的微納傳感器前沿技術(shù)（基礎(chǔ)前沿技術(shù)類） 研究內(nèi)容：研究基于量子效應(yīng)的芯片式角速度傳感器、磁場傳感器設(shè)計方法；研究傳感器電子自旋-核自旋相互作用機理、溫度效應(yīng)；研究諧振頻率控制、微型腔室制備、真空封裝等關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)激光器、探測器、處理電路系統(tǒng)集成技術(shù)；研制高精度角速度傳感器、磁場傳感器原型器件，并在重大技術(shù)裝備中試用驗證。 考核指標(biāo)：角速度傳感器表頭體積≤100cm3，量程±200°/s，零偏穩(wěn)定性優(yōu)于0.1°/h；磁場傳感器表頭體積≤10cm3，靈敏度優(yōu)于10fT/Hz1/2。 3、無線無源微納傳感器前沿技術(shù)（基礎(chǔ)前沿技術(shù)類） 研究內(nèi)容：研究微型化聲表面波（SAW）、電感-電容（LC）無線傳感器設(shè)計；研究傳感器多參數(shù)敏感的耦合效應(yīng)；研究傳感器結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計、曲面襯底上傳感器制備工藝、封裝、工業(yè)環(huán)境無線信號傳輸?shù)汝P(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)信號調(diào)制解調(diào)技術(shù)及處理電路系統(tǒng)集成技術(shù)；研制SAW和LC多參數(shù)檢測傳感器原型器件，并在燃?xì)廨啓C主軸、軸承健康狀況監(jiān)測中試用驗證。 考核指標(biāo)：SAW傳感器：溫度量程-40℃~+1000℃，誤差±1%；應(yīng)變量程±3000με，誤差±1%；氣壓量程0~4MPa，誤差±1%。LC傳感器：溫度量程-20℃~+120℃，誤差±1%；應(yīng)變量程±1000με，誤差±1%；振動量程±6g，誤差±1%。 4、微納傳感器與電路協(xié)同設(shè)計技術(shù)及設(shè)計工具（共性關(guān)鍵技術(shù)類） 研究內(nèi)容：建立熱/機械/電學(xué)多物理場耦合模型、硅表面加工與體加工工藝模型、閉環(huán)控制傳感器宏模型；研究具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)、包含器件級、工藝級、系統(tǒng)級設(shè)計功能的微納傳感器綜合設(shè)計工具；研究微納傳感器與電路協(xié)同設(shè)計技術(shù)，并實現(xiàn)與集成電路（LC）設(shè)計工具的無縫連接；形成集成傳感器知識產(chǎn)權(quán)（IP），IP經(jīng)過生產(chǎn)線驗證。 考核指標(biāo)：器件級耦合分析自由度≥1*107；工藝級仿真與實驗偏差優(yōu)于5%；系統(tǒng)級仿真與實驗偏差優(yōu)于10%；閉環(huán)控制集成傳感器IP不少于3種，軟件銷售≥10套。 5、微納傳感器與電路單片集成工藝技術(shù)及平臺（共性關(guān)鍵技術(shù)類） 研究內(nèi)容：研究在同一芯片上制造微納傳感器與IC的工藝技術(shù)；以互補-金屬-氧化物-硅（CMOS）工藝線為基礎(chǔ)，研究與CMOS工藝兼容的微納傳感器表面加工、體加工、硅直接鍵合加工等關(guān)鍵技術(shù)；建立可 量產(chǎn)的微納傳感器與電路單片集成制造技術(shù)并形成標(biāo)準(zhǔn)制程規(guī)范，實現(xiàn)單片集成微納傳感器規(guī)?；a(chǎn)。 考核指標(biāo)：圓片直徑≥150mm，單片集成傳感器成品率≥80%，成套制程規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)≥3項；服務(wù)用戶數(shù)≥3家，開發(fā)單片集成傳感器不少于3種，生產(chǎn)能力≥5000片/年，銷售單片集成傳感器≥100萬只。 6、圓片級真空封裝及其測試技術(shù)于平臺（共性關(guān)鍵技術(shù)類） 研究內(nèi)容：研究微機電系統(tǒng)（MEMS）圓片級真空封裝設(shè)計技術(shù)；研究圓片級多層布線、金屬和 絕緣薄膜平坦化技術(shù)、低溫鍵合、吸氣劑生長及激活、真空測試等關(guān)鍵技術(shù)；研究可量產(chǎn)的圓片級真空封裝技術(shù)并形成標(biāo)準(zhǔn)制程規(guī)范，實現(xiàn)多種器件規(guī)模化圓片級真空封裝。 考核指標(biāo)：圓片直徑≥150mm，圓片級封裝真空度≤0.1Pa，漏率≤5.0*10-12Pa·m3/s，真空封裝成品率≥90%，真空封裝器件種類≥3種；成套標(biāo)準(zhǔn)制程規(guī)范≥3個，服務(wù)用戶數(shù)≥3個，生產(chǎn)能力≥5000片/年，銷售量≥1萬只。 7、高溫硅壓力傳感器關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用（應(yīng)用示范類） 研究內(nèi)容：研究高可靠性MEMS高溫硅壓力傳感器結(jié)構(gòu)優(yōu)化技術(shù)；研究低應(yīng)力無引線封裝、溫度補償、高溫專用電路（ASIC）芯片等關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)測控接口電路；實現(xiàn)批量化生產(chǎn)并在重大技術(shù)裝備中應(yīng)用。 考核指標(biāo)：溫度范圍-55℃~+225℃，量程0~200kPa、0~60MPa，精度優(yōu)于0.25%FS，零點漂移優(yōu)于2%FS@100http://www.most.gov.cn/mostinfo/xinxifenlei/fgzc/gfxwj/gfxwj2018/201808/t20180803_141054.htm 項目申報指南可見附件。 附件： “制造基礎(chǔ)技術(shù)與關(guān)鍵部件”重點專項2018年度項目申報指南（指南編制專家名單、形式審查條件要求）