近日，據(jù)外媒報(bào)道，芯片制造商SK海力士新建工廠的規(guī)劃得到韓國政府批準(zhǔn)。該工廠總投資額將達(dá)到1060億美元，總面積將達(dá)到415萬平方米，地點(diǎn)位于首爾南部約 50 公里的位置。 據(jù)悉，SK 海力士計(jì)劃主要生產(chǎn)DRAM芯片，定于2021年第四季度開工，2025年建成投產(chǎn)。這一大型工廠將包含四個(gè)晶圓加工廠，每個(gè)月產(chǎn)量為80萬片。 SK海力士表示，將在未來10年內(nèi)開發(fā)10nm以下制程工藝的DRAM芯片，以及600層堆疊的NAND閃存。截至目前，該公司已經(jīng)成功研發(fā)出176層堆疊的3DNAND。新技術(shù)將引入新的電介質(zhì)材料來保持均勻電荷，從而保持可靠性，減少漏電。