為進一步做好重點新材料首批次應用保險補償試點工作，2021年12月31日，工業(yè)和信息化部發(fā)布《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2021年版）》的通告（工信部原函【2021】384號）（以下簡稱“《目錄》”），共有304個重點新材料被納入《目錄》內(nèi)。該《目錄》自2022年1月1日起施行，《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2019年版）》（工信部原〔2019〕254號）同時廢止。其中，共有12個電子元件行業(yè)重點材料被納入《目錄》，具體如下： 序號 材料名稱 性能要求 先進無機非金屬材料--先進陶瓷粉體及制品 1 陶瓷封裝基座 絕緣電阻：R≥1×106Ω，鍍鎳層厚度1.27～8.89μm，鍍金層厚度0.10～0.70μm；可焊性：沾錫面積不得低于焊盤面積95%；耐烘烤性：表面不得出現(xiàn)雜色、起泡、起皮、剝落等現(xiàn)象；鍍金層結(jié)合力：產(chǎn)品金層不得出現(xiàn)損傷，膠紙上不得有金屬物粘附。 2 高性能陶瓷基板 （1）高光反射率陶瓷基板：可見光反射率>97%，抗彎強度>350MPa，熱導率>22W/（m·K）； （2）氧化鋁陶瓷基板：抗彎強度>700MPa，熱導率>24W/（m·K），體積電阻率>1014Ω·cm。 先進無機非金屬材料--人工晶體 3 高精度SC切型壓電石英晶片 Phi（XX'）角度范圍：18°30′~26°00′，Theta（ZZ'）角度范圍：33°15′~34°30′，角度公差：±15′′，尺寸公差：±0.003mm，基頻范圍：19~54MHz，頻率公差：±20KHz 4 聲表面波級鉭酸鋰晶片 居里溫度603°C±2°C，晶片取向42°Y-X定向精度±0.3°，晶片直徑149.95±0.15mm，晶片厚度0.350±0.020mm，OF定向+X面0°±0.2°，OF尺寸47±1mm，SF定向：C.C.W45°±2°，SF尺寸：12±2mm，兩面拋光Ra≤1nm，TTV≤7μm，LTV≤1μm（5×5mm），PLTV≥95%（LTV≤1μmwithin5×5mm），WARP≤20μm 關鍵戰(zhàn)略材料--稀土功能材料 5 高性能釹鐵硼永磁體 （1）48EH檔產(chǎn)品：Br≥13.6kGs，Hcj≥30kOe； （2）50UH檔產(chǎn)品：Br≥13.9kGs，Hcj≥25kOe； （3）54SH檔產(chǎn)品：Br≥14.3kGs，Hcj≥20kOe。 6 釹鐵硼熱壓磁體 （1）高性能熱壓磁體：1.Br≥14kGs，Hcj≥14kOe，（BH）max≥50MGOe；2.耐蝕性能：130°C，2.6atm，240h（HAST條件）磁體失重＜1mg/cm2； （2）熱壓輻向磁環(huán)：Br≥13kGs，Hcj≥15kOe，（BH）max≥45MGOe。 7 高性能各向異性粘結(jié)磁體 （1）粘結(jié)磁粉：Br≥12.5kGs，（BH）max（MGOe）+Hcj（kOe）≥52； （2）粘結(jié)磁體：Br≥8.8kGs，（BH）max（MGOe）+Hcj（kOe）>30。 8 高性能釤鈷永磁體 Br>11.5kGs，Hcj>25kOe，（BH）max>31MGOe。 9 新型鈰磁體 無Tb、Dy重稀土前提下，鈰含量占稀土總量>20%，（BH）max（MGOe）+Hcj（kOe）>57；鈰含量占稀土總量>30%時，（BH）max（MGOe）+Hcj（kOe）>52；鈰含量占稀土總量>50%時，（BH）max（MGOe）+Hcj（kOe）>37。 10 高容及小尺寸MLCC用鎳內(nèi)電極漿料 鎳粉0.15~0.20μm，最大粒往徑≤0.5μm，固含量55±3％，粘度10rpm19±2Pa·s，干膜密度＞5g／cm3，熱膨脹系數(shù)15±3％（1000～1200°C），能在厚度3μm以下的介質(zhì)上通過絲印工藝形成精確的外觀圖形。 11 片阻用高精度低阻阻漿 金屬粉：銀鈀含量55±10%，粘度250±50Pa·s/25°C（BROOKFIELD粘度計，CP52轉(zhuǎn)子，2.0PRM），細度90%處≤5μm，第二條線≤7μm；電性能：方阻：8~10Ω，TCR<100PPM；方阻：800~1000mΩ，TCR<100PPM；方阻：90~100mΩ，TCR<100PPM；方阻：10~20mΩ，TCR<400PPM；各相鄰方阻可以互相混配；可靠性：短時過載、斷續(xù)過載、低溫負載、溫度快速變化、穩(wěn)態(tài)濕熱（1000h）、耐久性（155°C和-55°C下各1000h）、雙85高溫高濕（1000h）：△R＜±1%。 12 5G濾波器專用漿料 粘度（Kcps/25°C）：10±3；含銀量（%）73.5±2.0；無機物含量（%）78.0±2.0。